5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321層堆疊4D NAND閃存的新一代UFS 4.1存儲方案，將于2026年第一季度到來，可大大提升智能手機(jī)的存儲性能。
SK海力士稱，這種新的存儲芯片厚度只有區(qū)區(qū)0.85毫米，比之前238層堆疊的1.0毫米又縮小了15％，而且依然可以維持高達(dá)4.3GB/s的高持續(xù)讀取速度。
這樣的性能，已經(jīng)超過了好的PCIe 3.0 SSD。
同時，隨機(jī)讀寫性能分別提升了15％、40％，更適合手機(jī)這種頻繁讀寫小文件的設(shè)備，但未透露具體數(shù)據(jù)。
能效方面，SK海力士也宣稱提升了7％，有利于延長續(xù)航，但也沒有給出具體數(shù)據(jù)。
不過，堆疊層數(shù)上去了，總?cè)萘坎]有變，目前還是512GB、1TB。
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